%0 Journal Article
%A 任晓敏
%A 张霞
%A 颜鑫
%T Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其异质结构:生长与应用
%D 2022
%R 10.13190/j.jbupt.2021-201
%J 北京邮电大学学报
%P 1-6,25
%V 45
%N 3
%X 由于独特的结构特征和新颖的物理特性,Ⅲ-Ⅴ族纳米线一直是半导体光电子学领域的研究热点。近年来,Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其异质结构的制备取得了长足的进步,并在新一代激光器、探测器、太阳能电池等光电子器件中展现出巨大的应用潜力。归纳了近期Ⅲ-Ⅴ族纳米线的主要研究进展,包括Ⅲ-Ⅴ族纳米线的可控生长技术、Ⅲ-Ⅴ族纳米线异质结构的制备途径与物理特性、Ⅲ-Ⅴ族纳米线光电子器件的主要进展等,并展望了就该领域的主要挑战和发展方向。
%U https://journal.bupt.edu.cn/CN/10.13190/j.jbupt.2021-201